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粉體行業在線展覽
面議
565
特色
高性能電子光學系統
二次電子分辨率: 頂位二次電子探測器(2.0 nm at 1kV)*
高靈敏度: 高效PD-BSD, 超強的低加速電壓性能,低至100 V成像
大束流(>200 nA): 便于高效微區分析
性能優異
壓力可變: 具有優異的低真空(10 -300 Pa)成像性能,配備高靈敏度低真空探測器(UVD)*
開倉室快速簡單換樣(**樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
微區分析: EDS, WDS, EBSD等等
*:
選配附件
規格
項目 | 內容 | |
---|---|---|
分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2 | |
放大倍率 | 10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素) 30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素) | |
電子光學系統 | 電子槍 | ZrO /W 肖特基式電子槍 |
加速電壓 | 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進) | |
著陸電壓 | 減速模式: 0.1 - 2.0 kV*1 | |
**束流 | > 200 nA | |
探測器 | 低位二次電子探測器 | |
低真空模式*2 | 真空范圍: 10 - 300 Pa | |
馬達臺 | 馬達臺控制 | 5 - 軸自動 (優中心) |
可動范圍 | X:0~100mm Y:0~50mm Z:3~65mm T:-20~90° R:360° | |
**樣品尺寸 | **直徑: 200 mm **高度: 80 mm | |
選配探測器 |
|
*1:
減速功能(包含高分辨率頂位二次電子探測器)
*2:
低真空功能(包含5分割半導體探測器)
*3:
空壓機(本地采購)
應用案例
樣品: 氧化鋅粉末
著陸電壓: 1 kV ; 倍率: 120,000x
低電壓下頂位二次電子探測器成像
樣品: PTFE
加速電壓: 3 kV ; 倍率: 13,000x
UVD探測器可在低加速電壓(3 kV)和低真空
(40 Pa) 下獲得高質量圖像