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納米-微米
產品詳情：桌面型原子層沉積系統 小巧緊湊，功能強大，專為科研定制而生，科研工作者的ALD鍍膜助手。
桌面式平片原子層沉積系統
原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。
產品描述
廈門韞茂科技公司研發的超小型桌式 ALD 原子層沉積設備是先進材料研究的有力設備之一，它可以在6寸晶元（向下兼容）和微納米粉體上實現均勻可控的原子層沉積，具有廣泛的應用領域，設各配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統，保證工藝溫度均勻，該系統具有**粉末樣品桶、晶元載盤，全自動溫控制、 ALD 前驅體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業級安全控制，以及現場 RGA 、 QCM 、臭氧發生器、手套箱等設計選項，是先進能源材料、催化劑材料、新型納米材料研究與應用的**研發工具
主要技術參數
| Mini Desktop ALD 技術參數 Technical Specifications （HfO2, ZnO, Al2O3, TiO2等制備） | |
| 特色 Feature | 結構緊湊，世界上極小尺寸的桌式ALD World Smallest Footprint Desktop ALD |
| 功能 Function | 高端制造，功能強大，操作簡易，維護方便 |
| 樣品**尺寸 | Ф100mm (其他尺寸可定制）硅片或幾克粉末 |
| 樣品反應溫度 Heating | RT-450℃ |
| 前驅體 Max Precursor | **可4組液態或固態反應前驅體, Max 4 Liquid/Solid Precursors，可定制 Can Be Customized |
| 前驅體加熱**溫度 Max Precursor Heating | RT-200℃ |
| 包覆均一性 Uniformity | <1% (Al2O3) |
| 成膜速率 Deposition Rate | 1A/Cycle (Al2O3) |
| 臭氧發生器Ozone Generator | 可選配，生產效率15g/h |
| 人機界面 HMI | 全自動化人機操作界面 |
| 安全Safety | 工業標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm，EMO |
M-560/565
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