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雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD

QBT-T

直接聯(lián)系

廈門韞茂科技有限公司

福建

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

品牌:

韞茂科技

型號(hào):

QBT-T

關(guān)注度:

2284

創(chuàng)新點(diǎn):

廈門韞茂科技有限公司憑借在先進(jìn)材料設(shè)備業(yè)務(wù)方面多年的經(jīng)驗(yàn),韞茂為新型芯片,半導(dǎo)體和鋰電池領(lǐng)域的新材料開發(fā)和生產(chǎn),提供***的納米工藝設(shè)備和服務(wù)解決方案。根據(jù)您的特殊需求,我們?yōu)槟ㄖ拼蛟靹?chuàng)新納米加工平臺(tái),保證高品質(zhì)的設(shè)計(jì),多功能,易于使用的界面,嚴(yán)格的安全控制,以及快速的交付和服務(wù)。

產(chǎn)品介紹

雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng) QBT-T


6.jpg

原子層沉積(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。 


產(chǎn)品描述


廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)(QBT-T),設(shè)備采用雙腔體設(shè)計(jì),腔體之間可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制,雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的獨(dú)特設(shè)計(jì),使設(shè)備可以在平片上實(shí)現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝,設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級(jí)安全控制,以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是先進(jìn)能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導(dǎo)體領(lǐng)域研究與應(yīng)用的**研發(fā)工具之一。


主要技術(shù)參數(shù)


QBT-T 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制備)
腔體雙腔體設(shè)計(jì)(1個(gè)硅片PEALD腔室,1個(gè)粉末ALD腔室),每個(gè)腔體獨(dú)立控制,雙倍產(chǎn)出
等離子體 Plasma**3kW RF自匹配電源
**基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制)
高精準(zhǔn)樣品加熱控制 Wafer HeatingRT-300±1℃
前驅(qū)體 Max Precursor**可包括3組等離子體反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 
臭氧發(fā)生器Ozone Generator可選配,生產(chǎn)效率15g/h
人機(jī)界面 HMI全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
安全Safety工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO








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