粉體行業在線展覽
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雙通結構，厚度小于1500nm，廣泛應用于納米顆粒陣列的制備以及襯底表面圖案化處理等。
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深圳拓撲精膜科技有限公司
深圳
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拓撲
雙通結構，厚度小于1500nm，廣泛應用于納米顆粒陣列的制備以及襯底表面圖案化處理等。
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有獎征圖
目前，膜的重要作用正廣為大家所認知，深圳拓撲精膜科技有限公司()為了滿足廣大用戶對AAO模板、AAO濾膜、單通AAO模板、雙通AAO模板以及其它定制類產品的需求，充分調動和鼓勵用戶對產品本身以及產品應用的興趣，公司將不斷完善各類AAO產品的進一步研發生產，提供高性能的產品服務大家！
現面向廣大AAO產品用戶，征集實驗圖例方案，并將征集辦法公告如下：
一、征集要求
1. 凡是使用AAO相關產品所取得的圖片均滿足要求（包括AAO材料本身以及用AAO產品制備的任何材料所得到的圖片）；
2. 圖片可以是光學圖、SEM圖、AFM圖等表現形式；
3. 圖片的提供者不限于公司客戶，所有用戶均可參賽；
二、征集方式
1.征集時間：自公布之日起至2017年9月30日止。
2.征集內容：AAO膜實驗電子版圖例（JPG格式，并附100字左右文字說明）發送至郵箱： nano@topme***********
3.來稿須注明聯系電話、公司或高校名稱、聯系人姓名（以備獲獎聯系）。
郵件格式：
標題：AAO參賽圖
內容：姓名——公司或高校名稱——聯系電話
描述：100字左右
圖片附件。
三、獎項設置
1. 本期征集為**期，本期征集活動設**圖片獎1名，獎品為高檔空氣凈化器1臺；
2. 所有成功參賽者均可在下次訂購產品或9折優惠。
四、其它事宜
1.所有征集作品設計版權歸作者所有，應征作品必須是作者自己研究所得，不得拷貝；
本次征集作品由“深圳拓撲精膜科技有限公司”組織相關技術專家組成評審組進行評審，評審組將于2017年10月15日前完成評審，并通知獲獎作品的作者。
超薄AAO模板
超薄AAO（Anodic Aluminum Oxide）模板為雙通結構，厚度僅為幾十到幾百納米，廣泛應用于納米點陣列、納米線陣列等的制備以及襯底表面圖案化處理等。超薄AAO模板孔徑均一，孔排列短程有序，氧化鋁的材質使其在可見光波段是透明的，而且是電絕緣的。相對于其它圖形化納米結構制備手段，超薄AAO模板的獨特優勢在于可以輕易地獲得平方厘米的尺度低至十納米級的結構，而且成本低廉。
圖1. （上）超薄AAO模板產品結構示意圖；（下）一片較大面積的超薄AAO模板實物圖
圖2. 小面積超薄AAO模板實物圖
超薄AAO模板的一個缺點就是操作困難，這是因為AAO厚度小于1微米時不能自支撐，而且非常脆弱，使用非常不方便。我們將超薄AAO模板表面涂覆一層PMMA作支撐，如圖1所示，可以非常方便地取放、裁剪、轉移到任意目標襯底之上。較小面積的超薄AAO模板的實物圖如圖2所示。包裝盒內膜的PMMA面為朝下放置。
圖3. 超薄AAO模板轉移方法示意圖
超薄AAO模板一般需要轉移到目標襯底之上使用，圖3給出了帶有PMMA支撐層的超薄AAO的一種轉移方法。首先將目標基底清洗干凈，**進行親水處理以使AAO將與基底貼合更加均勻緊密。親水處理可以采用小功率氧氣（或空氣）plasma清洗處理，或采用紫外光表面處理機處理。然后將PMMA/AAO剪裁成所需形狀和大小放置于襯底之上。采用丙酮中即可除去PMMA支撐層，在此過程中，超薄AAO模板將與襯底貼合。除去PMMA之后，由于超薄AAO很脆弱，請勿碰觸AAO超薄膜表面，以免AAO破損。轉移操作過程中所有容器及操作臺面務必事先清洗干凈。關于超薄AAO模板的詳細轉移操作以及轉移技巧請與我們聯系。
圖4. 超薄AAO（左）SEM俯視圖和（右）30°視圖
圖5. （左）轉移至硅片表面，（中）轉移到載玻片表面，（右）轉移到石英玻璃表面
圖6. 超薄AAO模板的近距離透光性。(a,b) 孔間距較小的AAO，石英片基底，（c）孔間距450nm，普通玻璃基底
圖4為轉移到硅基底上的超薄AAO模板的SEM圖。圖5為轉移到硅片、普通玻璃以及石英玻璃表面的超薄AAO模板的實物照片。可以看到超薄與基底貼合緊密，透明度很高。采用類似方法，可以方便地將大面積的超薄AAO轉移到Si、藍寶石、SiC、ZnO、GaN、ITO、FTO、PDMS、PET等其它基底表面。以超薄AAO為掩膜版，可以進行金屬或半導體納米材料的沉積，從而獲得納米材料點陣，可以以金屬納米點陣為催化劑生長納米線陣列。可以直接以AAO為掩膜進行基底的刻蝕處理。
如果您不想自己進行超薄膜的轉移，我們也提供超薄膜的轉移服務，基底由您提供或者使用我們的基底。具體的轉移收費標準請與我們的客服聯系。
注：如果將PMMA面貼于基底，待PMMA除去后，AAO的正面與基底接觸，由于AAO正面孔與孔之間大部分是凸起結構，所以此時AAO與基底的接觸面就比較小，與基底的結合變弱，預計AAO在后期可能更加容易用膠帶粘掉。
超薄AAO模板在任何情況下都不可以用超聲清洗，否則可能會完全破碎。
超薄AAO模板加熱到五六百度時可以的，但是如果加熱到更高溫度，由于膨脹系數等差異，超薄膜可能出現裂紋，所以高溫實驗需謹慎。
孔中心間距65nm、100nm、125nm的超薄AAO模板是無色的，孔中心間距450nm的超薄膜是淡藍色的。物理蒸發制備納米顆粒選取超薄AAO時，一般選取孔直徑與膜厚的比例為1:3~1:6。AAO膜如果太薄，則膜在操作過程中容易損壞，而且AAO與基底粘附性可能會太強；如果太厚，材料蒸氣到達不了基底，導致沉積失敗。AAO結構參數、沉積厚度與得到的納米顆粒的形狀的關系，可以參閱文獻：Chem. Mater., 2005, 17, 580-585。
將AAO轉移到基底上干燥后，如果想把基底浸沒在水溶液中，一般不可以直接將覆蓋AAO的基底直接插入水溶液中，因為水溶液的表面張力會作用于AAO膜的邊緣，很可能將AAO從基底表面掀起來而漂浮在水溶液的表面，AAO就與基底脫離了。比較保險的方法是將AAO膜的四周邊緣密封起來，比如，可以使用PMMA的丙酮溶液涂一圈，等溶劑揮發完以后，PMMA固化，從而保護AAO邊緣不與水溶液接觸，這樣會大大降低AAO與基底脫離的幾率。
如果想提高AAO與基底的結合力，可以將AAO與基底都進行很好的親水處理，請參閱文獻Langmuir 2017, 33, 503?509。
利用轉移的AAO做電化學沉積然后制備納米顆粒，目前可能只有2篇文獻有相關報道(Sci. Rep.2016,6,18967和Langmuir 2017, 33, 503?509)，因此風險較高，因為轉移AAO與基底畢竟是物理吸附，電化學沉積時體系情況復雜，很可能使AAO與基底之間產生縫隙而導致不能形成顆粒，因此實驗設計時需謹慎。
圖7. 超薄AAO模板制備的納米顆粒陣列示例
溫馨提示：AAO模板為自下而上的方法制備，屬于自組織結構，因此它的孔徑都有一定的分布范圍，而不是單一值，特別是孔間距450nm的模板不均勻性略大一些。孔的排列為短程有序（微米級），每個有序區域可稱為一個“籌”，在籌邊界處孔的形狀可能大都不是正圓形。超薄膜的孔徑分布比雙通厚膜以及單通膜寬一些。如果您對多孔膜的孔徑均勻程度要求非常高，對孔的圓形程度要求非常高，那么AAO并不是好的選擇。
如果需要更詳細全面的產品介紹，請您訪問我們公司網站（公司網址： ）中超薄膜產品介紹。
孔間距450nm的超薄AAO模板價格為300元/片，產品型號中帶有字母C的為140元/片，具體請與客服聯系。
滿600元包郵。如果要求更快速的快遞，請跟客服事先溝通說明。
超薄AAO模板應用舉例
1.鐵電納米電容器陣列的制備，應用于高密度信息存儲
圖1 納米電容器陣列的制備
制備方法如上圖所示。首先將超薄AAO轉移到鍍有鉑（Pt）膜的MgO襯底之上，通過脈沖激光沉積（PLD）法先沉積一層Pb(Zr0.20Ti0.80)O3 （PZT），然后再沉積一層Pt材料，將AAO模板除去后即得到鐵電納米電容陣列。圖中（a）為制備流程示意圖，（b,c）為AAO模板以及所制備的納米電容的SEM圖。由于AAO的孔密度極高，所以所制備的金屬/鐵電/金屬納米電容器陣列可達到176 Gb/in2的存儲密度。
參考文獻：Nature Nanotechnology, 2008, 3, 402.
2. 金屬/半導體核殼納米顆粒陣列的制備
圖2 半導體納米點陣的制備
制備方法如上圖所示。首先將超薄AAO轉移到硅襯底上，沉積金屬In之后，除去AAO模板后即得到In納米顆粒陣列。然后在氧氣氣氛下經過一定的加熱和保溫過程，In納米顆粒表層被氧化，從而得到In/In2O3核殼結構納米陣列，通過調節結構參數，可以調節陣列的光學性能，有望應用于納米光學器件當中。
參考文獻:Journal of the American Chemical Society, 2005, 127, 1487
3. 金屬納米顆粒對陣列的制備
圖3 金屬納米顆粒對陣列制備
采用超薄AAO模板可以制備高密度的金屬納米顆粒對陣列，制備流程如上圖左圖所示，首先將AAO轉移到目標襯底，然后經過兩次不同的角度沉積，在每一個孔的位置可以制備一對金屬納米顆粒陣列，其SEM圖如右上角所示。兩次沉積的金屬材料可以不同，右下所示為金、銀納米顆粒對的元素分布圖。
參考文獻：Advanced Materials, 2000, 12, 1031.
4. 納米線陣列的制備
圖4 納米線陣列的生長
有序納米線陣列通常可以采用預制金屬納米顆粒作為催化劑，然后通過化學氣相沉積（CVD）等方法獲得，超薄AAO可以作為金屬顆粒催化劑制備的模板其流程如上圖所示。已有報道的使用該路線的納米線陣列包括MgO納米線，ZnO納米線，GaAs納米線和碳納米管陣列等。
參考文獻：RSC Advance, 2012, 2, 10618;Materials Letters, 2015, 154, 40;Applied Physics Letters, 2002, 81, 5177;Chemistry of Materials, 2004; 16, 2757; Applied Physics Letters, 2009, 75, 2047.
5. 平整表面上制備納米凹坑陣列以及納米柱陣列
圖5 基片刻蝕
將超薄AAO模板轉移到平整表面，通過干法刻蝕，由于AAO模板的阻擋，孔的位置將被刻蝕并形成復寫了AAO孔排列的凹坑陣列。例如，在LED芯片中的藍寶石襯底或者芯片的薄膜刻蝕出凹坑，即可提高出光效率。采用超薄AAO在襯底表面制備金屬或者其它材料陣列之后，除去AAO，再通過干法刻蝕，即可得到納米柱陣列結構。
參考文獻：Journal of Applied Physics, 2002, 91, 2544；Nano Lett., 2008, 8, 3046.
6. Ag納米顆粒陣列的制備及其表面修飾
圖6. Ag納米顆粒陣列的制備及其表面修飾
2015年，德國伊爾梅瑙工業大學的Yong Lei研究組采用超薄AAO模板制備Ag納米顆粒陣列，并對其表面進行修飾，以應用于太陽能電池效率的提高，研究結果發表在**雜志《Advanced Energy Materials》上。其樣品制備如圖6所示,。他們所用的超薄雙通AAO的孔間距約為100nm，孔徑約為60nm，膜厚約為300nm，所沉積的Ag的厚度為42nm。將AAO模板轉移到基底上后，采用電子束蒸發法沉積Ag，然后用膠帶將AAO粘去，獲得Ag納米顆粒陣列，然后采用ALD法在Ag顆粒表面包裹不同厚度的TiO2，通過TiO2包裹層厚度的調控，進而調控Ag納米顆粒的表面等離激元性質，使其四極子振動峰與偶極子振動峰靠攏甚至重合，提高了Ag納米顆粒本身的表面等離激元共振強度，使其對光的散射更加強烈，進而提高了太陽能電池的光生載流子產率。
參考文獻:Adv. Energy Mater. 2015, 5, 1501654.
7. 多鐵性磁電納米顆粒陣列的制備
圖7. （a）BiFeO3/CoFe2O4/SrRuO3納米點陣制備流程示意圖。（b）納米點陣的SEM圖（c）三維AFM圖以及（d）截面TEM圖。部分AAO模板為有意保留。
多鐵性磁電（Multiferroic magnetoelectric，ME）復合材料在室溫下就表現出較大的ME耦合效應，因此在很
