粉體行業(yè)在線展覽
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氮化硅（Si3N4）陶瓷基板
直接聯(lián)系
江蘇方達(dá)正塬電子材料科技有限公司
江蘇
面議
方達(dá)正塬
氮化硅（Si3N4）陶瓷基板
1749
司掌握了國(guó)內(nèi)外企業(yè)、高等院校和研究院所的先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)和研究成果，設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)******氮化硅陶瓷基板自動(dòng)化生產(chǎn)線，產(chǎn)品經(jīng)多家用戶檢測(cè)和軍方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè)，驗(yàn)證結(jié)果與國(guó)外產(chǎn)品相當(dāng)，局部?jī)?yōu)于國(guó)外產(chǎn)品。
氮化硅（Si3N4）基板與BeO、Al2O3和AlN基板相比較，具有綜合性能******、使用壽命***長(zhǎng)（是AlN的15~20倍）、可靠性******的特點(diǎn)，詳細(xì)如下：
l 絕緣性好：電阻率=1.0×1015~1016，電阻率約是BeO和AlN的10倍，Al2O3的10萬(wàn)倍
l 導(dǎo)熱性強(qiáng)：熱導(dǎo)率=80-177（理論值達(dá)320），熱導(dǎo)率是Al2O3的3倍以上，與AlN相當(dāng)，略遜于BeO
l 反應(yīng)靈敏：介電常數(shù)=9.4，與Al2O3和AlN相當(dāng)
l 熱穩(wěn)定：熱膨脹系數(shù)=3，遠(yuǎn)低于BeO，比AlN低，約為Al2O3的1/3
l 壽命長(zhǎng)：耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次，是AlN和Al2O3的15~20倍，大大降低設(shè)備折舊成本
l 抗振動(dòng)：高模量、機(jī)械強(qiáng)度大。
l BeO屬于劇毒產(chǎn)品，僅用于要求特殊的航天和導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部
l Al2O3和是目前價(jià)格*********的基板，但是其導(dǎo)熱性和使用壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的要求。
l AlN的主要問(wèn)題是價(jià)格高（與Si3N4相當(dāng)）但可靠性只有Si3N4的十分之一。
l Si3N4基板具有向下兼容的特點(diǎn)，無(wú)需驗(yàn)證即可直接替代上述三種基板，不必再次驗(yàn)證。
l 隨著Si3N4相基板的產(chǎn)量的增加和價(jià)格的下降，將逐步代替原來(lái)由Al2O3和AlN占據(jù)的市場(chǎng)份額，
(二) 新穎性、先進(jìn)性和獨(dú)特性
l 產(chǎn)品屬于國(guó)家“核高基”領(lǐng)域的軍民兩用卡脖子產(chǎn)品，在細(xì)分行業(yè)處于領(lǐng)軍地位，市場(chǎng)緊缺，替代進(jìn)口。
l 設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)******氮化硅陶瓷基板自動(dòng)化生產(chǎn)線，嚴(yán)格的預(yù)處理技術(shù)和先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)保證了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴(yán)格要求，晶格缺陷大大減少了，性能指標(biāo)大大提升。
l 形成了既滿足量大面廣的民用產(chǎn)品的要求、還可提供高性能指標(biāo)的基板和/或基片，形成高低搭配的、*********的系列產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)體系。
產(chǎn)品咨詢
氮化硅（Si3N4）陶瓷基板
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